DP0150BLP4-7B
DIODES(美台)
DFN-3(1x0.6)
¥0.26
39,255
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 10mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DP0150BLP4-7B
DIODES(美台)
X1-DFN1006-3

10000+:¥0.26

1+:¥0.284

9779

22+
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DP0150BLP4-7B
Diodes(美台)
--

10000+:¥0.2704

1+:¥0.29536

9773

22+
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DP0150BLP4-7B
美台(DIODES)
DFN-3(1x0.6)

100000+:¥0.286

20000+:¥0.3088

10000+:¥0.325

1000+:¥0.455

300+:¥0.65

10+:¥1.0075

9779

-
DP0150BLP4-7B
Diodes(达尔)
X2-DFN1006-3

5000+:¥0.3692

2500+:¥0.3939

500+:¥0.4264

110+:¥0.468

9779

-
3天-15天
DP0150BLP4-7B
DIODES(美台)
DFN-3(1x0.6)

150+:¥0.4553

50+:¥0.4627

5+:¥0.4738

145

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,6V
功率 - 最大值 450 mW
频率 - 跃迁 80MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 3-XFDFN