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APT17NTR-G1
DIODES(美台)
SOT-23-3
¥0.11362
1,410
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):50 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):480 V,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):20 @ 10mA,20V,功率 - 最大值:200 mW
厂家型号
厂牌
封装
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批次
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渠道
APT17NTR-G1
DIODES(美台)
SOT-23-3

9000+:¥0.1136

6000+:¥0.12

3000+:¥0.1327

300+:¥0.1486

100+:¥0.2067

10+:¥0.3044

1410

-
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APT17NTR-G1
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.164

1+:¥0.185

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APT17NTR-G1
美台(DIODES)
SOT-23-3

300+:¥0.392

100+:¥0.4704

10+:¥0.7056

0

-
APT17NTR-G1
DIODES(美台)
SOT-23

5000+:¥0.499

2000+:¥0.5124

500+:¥0.5347

300+:¥0.5792

100+:¥0.6238

1+:¥0.6684

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 50 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 480 V
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 20 @ 10mA,20V
功率 - 最大值 200 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3