MMBT5551M3T5G
onsemi(安森美)
SOT-723
¥0.166
7,463
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):160 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA,电流 - 集电极截止(最大值):50nA
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封装
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MMBT5551M3T5G
onsemi(安森美)
SOT-723

5000+:¥0.166

1000+:¥0.1871

300+:¥0.2135

100+:¥0.2487

10+:¥0.3191

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MMBT5551M3T5G
安森美(onsemi)
SOT-723

5000+:¥0.2023

1000+:¥0.2326

300+:¥0.2832

100+:¥0.3439

10+:¥0.4046

0

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MMBT5551M3T5G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-723

100+:¥0.2137

1+:¥0.2284

3

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MMBT5551M3T5G
ON(安森美)
SOT-723

8000+:¥0.475

1+:¥0.518

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 160 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 200mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 10mA,5V
功率 - 最大值 265 mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-723