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ZXTP2013GTA
DIODES(美台)
SOT-223
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：5 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：340mV @ 400mA，4A，电流 - 集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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Diodes(达尔)
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SOT-223
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1000+:￥0.866 60+:￥0.9416 |
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3天-15天
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唯样商城
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DIODES(美台)
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SOT223
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1000+:￥0.984 1+:￥1.07 |
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5年内
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圣禾堂
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美台(DIODES)
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10000+:￥0.9944 2000+:￥1.0735 1000+:￥1.13 500+:￥1.582 100+:￥2.26 10+:￥3.6782 |
10000 |
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油柑网
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DIODES(美台)
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SOT-223
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104+:￥4.6992 100+:￥4.7058 30+:￥4.7652 10+:￥4.8246 1+:￥4.917 |
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立创商城
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Diodes(美台)
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1000+:￥0.93225 50+:￥1.01088 1+:￥1.3104 |
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 5 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 340mV @ 400mA，4A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 20nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1A，1V |
| 功率 - 最大值 | 3 W |
| 频率 - 跃迁 | 125MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |