ZXTP03200BGTA
DIODES(美台)
SOT-223-4
¥1.03303
16,371
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):200 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):275mV @ 400mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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ZXTP03200BGTA
DIODES INCORPORATED

100+:¥1.2613

1+:¥2.0374

950

2120
现货最快4H发
ZXTP03200BGTA
Diodes(达尔)
SOT-223-3

1000+:¥1.6632

50+:¥1.804

30+:¥2.3408

4807

-
3天-15天
ZXTP03200BGTA
DIODES(美台)
SOT223

1000+:¥1.89

1+:¥2.05

4807

5年内
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ZXTP03200BGTA
美台(DIODES)
SOT-223-4

10000+:¥2.079

2000+:¥2.2444

1000+:¥2.3625

500+:¥3.3075

100+:¥4.725

20+:¥7.6899

4807

-
ZXTP03200BGTA
DIODES(美台)
SOT-223-4

500+:¥4.52

100+:¥4.89

30+:¥5.51

10+:¥6.14

1+:¥7.4

960

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 200 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 275mV @ 400mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 1A,5V
功率 - 最大值 1.25 W
频率 - 跃迁 105MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA