ZXTC2063E6TA
DIODES(美台)
SOT-26
¥1.36
30,702
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3.5A,3A,电压 - 集射极击穿(最大值):40V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A,电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
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ZXTC2063E6TA
DIODES(美台)
SOT26

3000+:¥1.36

1+:¥1.44

13129

23+
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ZXTC2063E6TA
Diodes(达尔)
SOT-23-6

3000+:¥1.496

1500+:¥1.584

750+:¥1.661

100+:¥1.87

30+:¥2.332

13129

-
3天-15天
ZXTC2063E6TA
DIODES(美台)
SOT-26

1000+:¥1.51

500+:¥1.55

100+:¥1.63

30+:¥1.79

10+:¥1.93

1+:¥2.24

1444

-
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ZXTC2063E6TA
美台(DIODES)
SOT-23-6

30000+:¥1.5543

6000+:¥1.678

3000+:¥1.7663

800+:¥2.4728

200+:¥3.5326

10+:¥5.7493

3000

-
ZXTC2063E6TA
DIODES INCORPORATED

1+:¥2.9863

70

-
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3.5A,3A
电压 - 集射极击穿(最大值) 40V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大值) 50nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 300 @ 10mA,2V / 200 @ 1A,2V
功率 - 最大值 1.1W
频率 - 跃迁 190MHz,270MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6