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停产
48L640T-I/MNY
MICROCHIP(美国微芯)
TDFN-8-EP(2x3)
nvSRAM(掉电保持)
存储器类型：非易失，存储器格式：EERAM，技术：EEPROM，SRAM，存储容量：64Kb，存储器组织：8K x 8
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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48L640T-I/MNY
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MICROCHIP(美国微芯)
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TDFN-8(2x3)
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500+:￥17.064 200+:￥17.352 1+:￥17.766 |
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19+/20+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 存储器类型 | 非易失 |
| 存储器格式 | EERAM |
| 技术 | EEPROM，SRAM |
| 存储容量 | 64Kb |
| 存储器组织 | 8K x 8 |
| 存储器接口 | SPI |
| 时钟频率 | 66 MHz |
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-WFDFN 裸露焊盘 |