UMC4N-7
DIODES(美台)
SOT-353
¥0.234
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数字晶体管
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):47 千欧,10 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧
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UMC4N-7
Diodes(美台)
SOT-353

3000+:¥0.234

1+:¥0.26416

2572

25+
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UMC4N-7
美台(DIODES)
SOT-353

30000+:¥0.2475

6000+:¥0.2672

3000+:¥0.2813

800+:¥0.3938

100+:¥0.5626

20+:¥0.9156

2577

-
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Diodes(达尔)
SOT-353

1500+:¥0.3302

200+:¥0.3809

90+:¥0.5889

2577

-
3天-15天
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150+:¥0.3878

50+:¥0.4432

5+:¥0.554

255

-
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SOT353

3000+:¥0.225

1+:¥0.254

2578

25+
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SOT-353

3000+:¥0.234

1500+:¥0.26416

200+:¥0.30472

1+:¥0.47112

2578

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1-3工作日
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100+:¥0.2635

30+:¥0.2788

10+:¥0.2839

1+:¥0.3095

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UMC4N-7
DIODES INCORPORATED

100+:¥0.2818

1+:¥0.3381

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 47 千欧,10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 47 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 68 @ 5mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
频率 - 跃迁 250MHz
功率 - 最大值 150mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353