TPS3808G18DRVR
TI(德州仪器)
WDFN-6-EP(2x2)
¥4.218
318
监控和复位芯片
类型:简单复位/加电复位,受监控电压数:1,电压 - 阈值:1.67V,输出:开路漏极或开路集电极,复位:低有效
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封装
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渠道
TPS3808G18DRVR
TI(德州仪器)
WDFN-6-EP(2x2)

1000+:¥4.218

500+:¥4.344

100+:¥4.644

30+:¥5.298

10+:¥6.93

1+:¥9.288

159

-
立即发货
TPS3808G18DRVR
TI(德州仪器)
6-WDFN

1000+:¥6.693

500+:¥7.771

200+:¥8.82

1+:¥10.486

159

19+/20+
TPS3808G18DRVR
Texas Instruments
SON

1000+:¥2.9479

500+:¥3.0542

100+:¥3.187

12584

-
3-5工作日
TPS3808G18DRVR
Texas Instruments
SON

500+:¥6.441

100+:¥6.612

10+:¥6.84

5900

21+
3-5工作日
TPS3808G18DRVR
Texas Instruments
SON

3000+:¥6.496

2000+:¥6.67

1000+:¥6.844

212000

-
10-12工作日
TPS3808G18DRVR
德州仪器(TI)
WDFN-6-EP(2x2)

100+:¥9.3333

30+:¥11.2

10+:¥14.0

1+:¥16.7999

0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
类型 简单复位/加电复位
受监控电压数 1
电压 - 阈值 1.67V
输出 开路漏极或开路集电极
复位 低有效
复位超时 可调节/可选择
工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-WDFN 裸露焊盘
产地信息
属性 属性值
晶圆地(国家/地区)(CCO) TI:Germany;Japan
晶圆地(城市)(CSO) TI:Freising, DE;Miho, JP
封装地(国家/地区)(ACO) TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand
封装地(城市)(ASO) TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Angeles City, PH External:4