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TLV803RDBZR
TI(德州仪器)
SOT-23-3
监控和复位芯片
类型：简单复位/加电复位，受监控电压数：1，电压 - 阈值：2.64V，输出：开路漏极或开路集电极，复位：低有效
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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TLV803RDBZR
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TI(德州仪器)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.58 1+:￥0.624 |
585 |
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圣禾堂
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TLV803RDBZR
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TI(德州仪器)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.6032 1+:￥0.64896 |
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硬之城
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TLV803RDBZR
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TI(德州仪器)
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SOT-23-3
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6000+:￥0.6351 3000+:￥0.6768 500+:￥0.7461 150+:￥1.0479 50+:￥1.1752 5+:￥1.4721 |
1635 |
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TLV803RDBZR
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德州仪器(TI)
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SOT-23-3
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1000+:￥0.6864 100+:￥0.8237 10+:￥0.961 1+:￥1.2012 |
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油柑网
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TI(德州仪器)
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SOT-23
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1200+:￥0.7091 600+:￥0.7162 50+:￥1.1282 5+:￥1.4132 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 类型 | 简单复位/加电复位 |
| 受监控电压数 | 1 |
| 电压 - 阈值 | 2.64V |
| 输出 | 开路漏极或开路集电极 |
| 复位 | 低有效 |
| 复位超时 | 最小为 120ms |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
产地信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶圆地（国家/地区）(CCO) | TI:United States |
| 晶圆地（城市）(CSO) | TI:Richardson, US;Sherman, US |
| 封装地（国家/地区）(ACO) | TI:China;Malaysia;Philippines External:China;Thailand |
| 封装地（城市）(ASO) | TI:Chengdu, CN;Melaka, MY;Baguio City, PH External:2 |