STN2580
ST(意法半导体)
SOT-223
¥0.91693
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三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):400 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1V @ 200mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):10µA(ICBO)
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ST(意法半导体)
SOT-223

1000+:¥1.04

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ST(意法半导体)
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意法半导体(ST)
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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 400 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 1V @ 200mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 10µA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 60 @ 250mA,5V
功率 - 最大值 1.6 W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA