STN0214
ST(意法半导体)
SOT-223
¥4.4
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三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 20mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):10µA
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STN0214
ST(意法半导体)
TO261-4

500+:¥4.4

100+:¥5.5

10+:¥7.96

1+:¥11.5

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STN0214
ST(意法半导体)
SOT-223

1000+:¥8.0

500+:¥8.57

100+:¥9.83

30+:¥12.56

10+:¥15.26

1+:¥19.8

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STN0214
意法半导体(ST)
SOT-223

1000+:¥28.0933

500+:¥32.3073

100+:¥35.1166

30+:¥39.3306

10+:¥47.7586

1+:¥56.1866

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 20mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 10µA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 3 @ 200mA,2V
功率 - 最大值 1.6 W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA