咨询/建议
SPZT651T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
SPZT651T1G
|
onsemi(安森美)
|
SOT-223
|
100+:￥6.02 30+:￥7.02 10+:￥7.91 1+:￥9.53 |
104 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
SPZT651T1G
|
安森美(onsemi)
|
SOT-223-4
|
100+:￥3.42 30+:￥4.104 10+:￥5.13 1+:￥6.156 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 75 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大值 | 800 mW |
| 频率 - 跃迁 | 75MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |