SMUN5313DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.2633
45,215
数字晶体管
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):47 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧
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封装
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SMUN5313DW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363-6

15000+:¥0.2633

3000+:¥0.2925

1500+:¥0.4037

45000

-
SMUN5313DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

150+:¥0.4096

50+:¥0.472

5+:¥0.5968

215

-
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SMUN5313DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.283

1+:¥0.32

0

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立即发货
SMUN5313DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

500+:¥0.9189

100+:¥0.9735

1+:¥1.0513

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现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 47 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 187mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363