SMUN5211DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.1258
2,618
数字晶体管
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):10 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
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SMUN5211DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

600+:¥0.1258

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20+:¥0.1953

2360

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SMUN5211DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1+:¥1.2446

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SMUN5211DW1T1G
ON(安森美)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363

3000+:¥0.1209

1500+:¥0.153

210+:¥0.2445

6000

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3天-15天
SMUN5211DW1T1G
onsemi(安森美)

210+:¥1.6756

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207+:¥1.7193

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6-8工作日
SMUN5211DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.0806

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SMUN5211DW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

500+:¥0.3998

150+:¥0.4798

50+:¥0.5997

5+:¥0.7196

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 10 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 10 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 35 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 187mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363