SMMUN2233LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.158
3,860
数字晶体管
晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
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SMMUN2233LT1G
ON(安森美)
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3000+:¥0.158

1+:¥0.179

190

22+
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SMMUN2233LT1G
ON(安森美)
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3000+:¥0.16432

1+:¥0.18616

182

22+
1-2工作日发货
SMMUN2233LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23-3(TO-236-3)

30000+:¥0.1738

6000+:¥0.1876

3000+:¥0.1975

800+:¥0.2765

200+:¥0.395

10+:¥0.6123

190

-
SMMUN2233LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.18

300+:¥0.2053

100+:¥0.2391

10+:¥0.3066

3090

-
立即发货
SMMUN2233LT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

130+:¥0.4147

190

-
3天-15天
SMMUN2233LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.1862

18

2249
现货最快4H发
SMMUN2233LT1G
ON(安森美)
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3000+:¥0.16432

1500+:¥0.18616

200+:¥0.21424

1+:¥0.33176

210

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 47 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 246 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3