SMMUN2114LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.19764
33,584
数字晶体管
晶体管类型:PNP - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
厂家型号
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封装
价格(含税)
库存
批次
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渠道
SMMUN2114LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

9000+:¥0.1976

6000+:¥0.2087

3000+:¥0.2308

300+:¥0.2585

100+:¥0.3319

10+:¥0.4557

1970

-
立即发货
SMMUN2114LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.221

1+:¥0.251

579

22+
立即发货
SMMUN2114LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.22984

1+:¥0.26104

576

22+
1-2工作日发货
SMMUN2114LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

1+:¥0.2323

2880

2217
现货最快4H发
SMMUN2114LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.2486

6000+:¥0.2684

3000+:¥0.2825

800+:¥0.3955

100+:¥0.565

20+:¥0.9196

27000

-
SMMUN2114LT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

200+:¥0.3744

90+:¥0.5811

579

-
3天-15天
SMMUN2114LT1G
ON(安森美)
--

3000+:¥0.22984

1500+:¥0.26104

200+:¥0.29952

1+:¥0.46488

579

--
1-3工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 47 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 246 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3