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SMMBT2907ALT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：600 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：60 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：10nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SMMBT2907ALT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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500+:￥0.3314 150+:￥0.3719 50+:￥0.4261 5+:￥0.5343 |
1715 |
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立即发货
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立创商城
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SMMBT2907ALT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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500+:￥0.35 100+:￥0.46 20+:￥0.65 10+:￥0.98 |
3000 |
21+
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在芯间
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SMMBT2907ALT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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12000+:￥0.112 9000+:￥0.114 6000+:￥0.116 3000+:￥0.118 |
3000 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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SMMBT2907ALT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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2000+:￥0.3876 500+:￥0.4575 10+:￥0.5161 |
2980 |
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3-7工作日
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云汉芯城
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SMMBT2907ALT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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500+:￥0.529 100+:￥0.5782 95+:￥0.636 |
53563 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |