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SMMBT2369ALT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：15 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 10mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：400nA
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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SMMBT2369ALT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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350+:￥0.713 210+:￥0.7788 70+:￥0.864 |
6633 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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SMMBT2369ALT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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1000+:￥0.6984 500+:￥0.7344 100+:￥0.7884 30+:￥0.9144 10+:￥1.0188 1+:￥1.2528 |
5 |
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立即发货
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立创商城
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SMMBT2369ALT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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30+:￥2.9733 10+:￥3.568 1+:￥5.3519 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 15 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 400nA |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大值 | 225 mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |