SMBT3946DW1T1G
onsemi(安森美)
SC-88
¥0.2585
10,938
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA,电压 - 集射极击穿(最大值):40V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V
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SMBT3946DW1T1G
onsemi(安森美)
SC-88

6000+:¥0.2585

3000+:¥0.2725

500+:¥0.2959

150+:¥0.3484

50+:¥0.3904

5+:¥0.4885

1460

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SMBT3946DW1T1G
安森美(onsemi)
SC-88

30000+:¥0.275

6000+:¥0.2969

3000+:¥0.3125

800+:¥0.4375

200+:¥0.625

10+:¥1.0172

9000

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SMBT3946DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1+:¥1.0849

478

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SMBT3946DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363-6

15000+:¥0.4497

9000+:¥0.4536

6000+:¥0.4614

3000+:¥0.4888

60000

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6-8工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 40V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 10mA,1V
功率 - 最大值 150mW
频率 - 跃迁 300MHz,250MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363