2STR2230
ST(意法半导体)
SOT-23
¥0.462
9,067
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.5 A,电压 - 集射极击穿(最大值):30 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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2STR2230
ST(意法半导体)
SOT-23-3

3000+:¥0.462

1+:¥0.494

3000

25+
立即发货
2STR2230
ST(意法半导体)
SOT-23-3

3000+:¥0.48048

1+:¥0.51376

2992

25+
1-2工作日发货
2STR2230
ST(意法半导体)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

200+:¥0.5984

60+:¥0.8679

3000

-
3天-15天
2STR2230
ST(意法半导体)
SOT-23

150+:¥0.9132

50+:¥0.9269

5+:¥0.9474

75

-
立即发货
2STR2230
ST(意法半导体)
SOT-23(SOT-23-3)

30+:¥2.56

10+:¥2.59

1+:¥2.64

0

20+/21+
2STR2230
意法半导体(ST)
SOT-23

30+:¥4.12

10+:¥4.944

1+:¥7.416

0

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.5 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 30 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 800mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 170 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 500 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3