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2SD1624T-TD-E
onsemi(安森美)
SOT-89
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 100mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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2SD1624T-TD-E
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onsemi(安森美)
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SOT-89
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500+:￥2.83 100+:￥3.26 20+:￥3.84 1+:￥5.95 |
1000 |
21+
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在芯间
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2SD1624T-TD-E
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On Semiconductor/Fairchild
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8000+:￥2.166 4000+:￥2.185 2000+:￥2.223 1000+:￥2.28 |
11000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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2SD1624T-TD-E
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On Semiconductor/Fairchild
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95+:￥2.76 57+:￥3.0326 19+:￥3.336 |
6942 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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2SD1624T-TD-E
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ON SEMICONDUCTOR
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3000+:￥3.1077 2000+:￥3.1077 1000+:￥3.1077 |
1000 |
22+
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4-7工作日
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云汉芯城
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2SD1624T-TD-E
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onsemi(安森美)
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SOT-89
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7000+:￥1.3491 |
0 |
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立即发货
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 100mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 500 mW |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |