2SD1623T-TD-E
onsemi(安森美)
SOT-89
¥1.6335
2,938
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 50mA,1A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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2SD1623T-TD-E
onsemi(安森美)
SOT-89

1000+:¥1.6335

500+:¥1.7325

100+:¥1.9206

30+:¥2.27

10+:¥2.6

1+:¥3.25

1645

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2SD1623T-TD-E
安森美(onsemi)
SOT-89-3

10000+:¥2.2448

2000+:¥2.4234

1000+:¥2.5509

500+:¥3.5713

100+:¥5.1018

10+:¥8.3032

1200

-
2SD1623T-TD-E
ON(安森美)
TO-243AA

25+:¥2.0029

1+:¥2.1632

93

-
7天-14天
2SD1623T-TD-E
On Semiconductor/Fairchild
SOT-89

24000+:¥1.417

12000+:¥1.4419

6000+:¥1.4667

3000+:¥1.5538

6000

23+
3-6工作日
2SD1623T-TD-E
ON SEMICONDUCTOR
SOT-89

3000+:¥1.6587

300+:¥1.7914

100+:¥1.8246

30+:¥2.2061

10+:¥2.4217

1+:¥2.8198

6000

23+
1-3工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 50mA,1A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 100mA,2V
功率 - 最大值 500 mW
频率 - 跃迁 150MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA