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2SC5200-O(Q)
TOSHIBA(东芝)
TO-3PL
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：15 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：230 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：3V @ 800mA，8A，电流 - 集电极截止（最大值）：5µA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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2SC5200-O(Q)
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TOSHIBA(东芝)
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TO-3PL
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500+:￥6.25 100+:￥6.74 20+:￥7.64 1+:￥8.51 |
3000 |
20+/21+
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在芯间
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2SC5200-O(Q)
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TOSHIBA(东芝)
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TO-3PL
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1000+:￥6.36 500+:￥6.59 100+:￥7.11 30+:￥8.52 10+:￥9.65 1+:￥11.45 |
2498 |
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立即发货
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立创商城
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2SC5200-O(Q)
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Toshiba Semiconductor
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TO-3P
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2500+:￥6.696 1500+:￥6.944 1000+:￥7.316 500+:￥7.75 |
5694 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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2SC5200-O(Q)
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Toshiba Semiconductor
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TO-3P
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250+:￥7.182 150+:￥7.245 100+:￥7.371 50+:￥7.497 |
5000 |
23+
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3-5工作日
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云汉芯城
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2SC5200-O(Q)
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TOSHIBA
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TO-3P
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1000+:￥7.3913 300+:￥7.613 100+:￥7.9161 30+:￥8.7957 10+:￥10.5696 1+:￥11.8261 |
325 |
25+
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1-3工作日
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云汉芯城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 15 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 230 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 3V @ 800mA，8A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 5µA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 1A，5V |
| 功率 - 最大值 | 150 W |
| 频率 - 跃迁 | 30MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3PL |