2SC1623
华轩阳
SOT-23
¥0.0162
55,882
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic):100mA,集射极击穿电压(Vceo):50V,耗散功率(Pd):200mW
厂家型号
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价格(含税)
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渠道
2SC1623
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

3000+:¥0.0162

1+:¥0.0205

5750

24+
立即发货
2SC1623
Huaxuanyang(华轩阳)
SOT-23

3000+:¥0.01685

1+:¥0.02132

5742

24+
1-2工作日发货
2SC1623
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

21000+:¥0.02

9000+:¥0.0211

3000+:¥0.0233

600+:¥0.0276

200+:¥0.0319

20+:¥0.0395

38640

-
立即发货
2SC1623
HXY(华轩阳)
SOT-23

3000+:¥0.0292

1500+:¥0.0369

850+:¥0.0589

5750

-
3天-15天
2SC1623
HXY MOSFET(华轩阳电子)
SOT-23

60000+:¥0.0181

45000+:¥0.0183

3000+:¥0.0184

1500+:¥0.0232

200+:¥0.037

1+:¥0.1109

5750

24+
2-5工作日
2SC1623
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-23

5000+:¥0.0181

3000+:¥0.0186

1000+:¥0.0208

300+:¥0.0226

100+:¥0.0272

10+:¥0.0355

22214

23+
1工作日
2SC1623
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-23

9000+:¥0.0182

6000+:¥0.0186

3000+:¥0.019

720000

24+
5-7工作日
2SC1623
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子
SOT-323

9000+:¥0.0853

6000+:¥0.0876

3000+:¥0.089

720000

24+
5-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic) 100mA
集射极击穿电压(Vceo) 50V
耗散功率(Pd) 200mW