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SIR668ADP-T1-RE3
VISHAY(威世)
PowerPAKSO-8
数字晶体管
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：93.6A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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SIR668ADP-T1-RE3
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VISHAY(威世)
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PowerPAK® SO-8
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3000+:￥3.96 1+:￥4.11 |
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22+
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圣禾堂
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Vishay(威世)
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QFN-8
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3000+:￥4.1184 1+:￥4.2744 |
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22+
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1-2工作日发货
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硬之城
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威世(VISHAY)
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PPAK SO-8
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30000+:￥4.972 6000+:￥5.3675 3000+:￥5.65 800+:￥7.91 200+:￥11.3 10+:￥18.3908 |
21000 |
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油柑网
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SIR668ADP-T1-RE3
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Vishay(威世)
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PowerPAK SO-8
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100+:￥5.137 9+:￥6.149 |
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3天-15天
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唯样商城
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PowerPAKSO-8
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30+:￥8.02 10+:￥8.96 1+:￥10.46 |
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立创商城
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Vishay(威世)
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PowerPAK-SO-8
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3000+:￥4.1184 1500+:￥4.2744 750+:￥4.4928 100+:￥4.8568 1+:￥5.8136 |
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1-3工作日
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 93.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 81 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3750 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |