2SA2016-TD-E
onsemi(安森美)
SOT-89
¥2.3661
537
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):7 A,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):400mV @ 40mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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2SA2016-TD-E
onsemi(安森美)
SOT-89

1000+:¥2.3661

500+:¥2.4948

100+:¥2.8809

30+:¥3.33

10+:¥3.76

1+:¥4.6

535

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2SA2016-TD-E
ON(安森美)
PCP

1000+:¥1.71

1+:¥1.85

0

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2SA2016-TD-E
安森美(onsemi)
SOT-89-3

10000+:¥1.881

2000+:¥2.0306

1000+:¥2.1375

500+:¥2.9925

100+:¥4.275

20+:¥6.6263

0

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2SA2016-TD-E
ON SEMICONDUCTOR
SOT-89 / PCP-1

1+:¥1.911

2

2416
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 7 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 400mV @ 40mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 3.5 W
频率 - 跃迁 330MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA