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2SA2013-TD-E
onsemi(安森美)
SOT-89
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：4 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：340mV @ 100mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：1µA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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2SA2013-TD-E
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onsemi(安森美)
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SOT-89
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1000+:￥1.7 500+:￥1.8 100+:￥2.27 30+:￥2.61 10+:￥2.95 1+:￥3.63 |
878 |
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立创商城
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2SA2013-TD-E
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-89
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1+:￥2.1708 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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2SA2013-TD-E
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ON(安森美)
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PCP
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1000+:￥2.03 1+:￥2.14 |
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圣禾堂
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2SA2013-TD-E
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安森美(onsemi)
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SOT-89-3
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30+:￥4.08 10+:￥4.896 1+:￥7.344 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 4 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 340mV @ 100mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 3.5 W |
| 频率 - 跃迁 | 400MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |