SDTC114EET1G
onsemi(安森美)
SC-75
¥0.2086
3,000
数字晶体管
晶体管类型:NPN - 预偏压,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50 V,电阻器 - 基极 (R1):10 kOhms,电阻器 - 发射极 (R2):10 kOhms
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SDTC114EET1G
onsemi
SC-75-3

3000+:¥0.2086

2000+:¥0.2192

1000+:¥0.2312

500+:¥0.2415

300+:¥0.2657

100+:¥0.2923

3000

2213
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SDTC114EET1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.1799

300+:¥0.1961

100+:¥0.2141

30+:¥0.2357

10+:¥0.286

1+:¥0.3454

9144

22+
1-3工作日
SDTC114EET1G
onsemi
SC-75,SOT-416

3000+:¥0.2399

2000+:¥0.2521

1000+:¥0.2659

500+:¥0.2801

300+:¥0.3135

100+:¥0.3654

3000

22+
3-5工作日
SDTC114EET1G
On Semiconductor/Fairchild
SC-75,SOT-416

10000+:¥0.4186

3000+:¥0.4301

200+:¥0.4416

10+:¥0.4723

3000

-
5-7工作日
SDTC114EET1G
onsemi(安森美)
SC-75

66000+:¥0.1369

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50 V
电阻器 - 基极 (R1) 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2) 10 kOhms
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 35 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 200 mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-75,SOT-416