SBCP56T1G
onsemi(安森美)
SOT-223-3
¥0.75
513
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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SBCP56T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223-4 / TO-261-4D

100+:¥0.7635

1+:¥0.8164

380

2229
现货最快4H发
SBCP56T1G
ON(安森美)
SOT-223-3

1000+:¥0.75

1+:¥0.814

46

22+
立即发货
SBCP56T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥0.78

1+:¥0.84656

41

22+
1-2工作日发货
SBCP56T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

50000+:¥0.825

10000+:¥0.8906

5000+:¥0.9375

1000+:¥1.3125

300+:¥1.313

10+:¥1.3609

46

-
SBCP56T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥0.78

50+:¥0.84656

1+:¥1.1024

46

--
1-3工作日
SBCP56T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥0.825

50+:¥0.8954

1+:¥1.166

46

22+
2-4工作日
SBCP56T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

100+:¥1.0549

361

-
6-8工作日
SBCP56T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223

105+:¥2.4955

63+:¥2.7022

21+:¥2.964

563

-
14-18工作日
SBCP56T1G
onsemi(安森美)
SOT-223-3

11000+:¥0.8761

0

-
立即发货

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 40 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1.5 W
频率 - 跃迁 130MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA