SBCP56-16T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥0.538
30,820
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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SBCP56-16T1G
ON(安森美)
SOT-223(TO-261)

1000+:¥0.538

1+:¥0.584

6734

25+
立即发货
SBCP56-16T1G
ON(安森美)
SOT-223-3

1000+:¥0.55952

1+:¥0.60736

6728

25+
1-2工作日发货
SBCP56-16T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

10000+:¥0.5918

2000+:¥0.6389

1000+:¥0.6725

500+:¥0.9415

100+:¥1.345

10+:¥2.0848

6764

-
SBCP56-16T1G
ON(安森美)
TO-261-4,TO-261AA

1000+:¥0.5918

80+:¥0.6424

6734

-
3天-15天
SBCP56-16T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223-4 / TO-261-4D

100+:¥0.8389

1+:¥0.8977

244

2242
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 100 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1.5 W
频率 - 跃迁 130MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA