SBC857BDW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363
¥0.1872
10,302
三极管(BJT)
晶体管类型:2 PNP(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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渠道
SBC857BDW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.18

1+:¥0.203

1970

22+
立即发货
SBC857BDW1T1G
ON(安森美)
--

3000+:¥0.1872

1+:¥0.21112

1962

22+
1-2工作日发货
SBC857BDW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363-6

30000+:¥0.198

6000+:¥0.2138

3000+:¥0.225

800+:¥0.315

200+:¥0.45

10+:¥0.6975

1970

-
SBC857BDW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1000+:¥0.2058

100+:¥0.2235

1+:¥0.2392

4400

2214
现货最快4H发
SBC857BDW1T1G
ON(安森美)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363

1500+:¥0.2639

200+:¥0.3042

110+:¥0.4719

1970

-
3天-15天

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 380mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363