SBC856BLT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.208
2,556
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):65 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):650mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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SBC856BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.2

1+:¥0.226

783

23+
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SBC856BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.208

1+:¥0.23504

777

23+
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SBC856BLT1G
ON(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

200+:¥0.338

100+:¥0.5239

783

-
3天-15天
SBC856BLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.472

996

2210
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SBC856BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.208

1500+:¥0.23504

200+:¥0.2704

1+:¥0.41912

783

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1-3工作日
SBC856BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

45000+:¥0.2178

3000+:¥0.22

1500+:¥0.2486

200+:¥0.286

1+:¥0.4433

783

23+
2-4工作日
SBC856BLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.22

500+:¥0.2415

150+:¥0.2677

50+:¥0.3168

5+:¥0.3879

2677

2513+
1工作日
SBC856BLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.2717

300+:¥0.2962

100+:¥0.3234

30+:¥0.356

10+:¥0.4321

1+:¥0.5217

5366

23+
1工作日
SBC856BLT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

6000+:¥0.4047

3000+:¥0.4345

11989

-
9-11工作日
SBC856BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3,TO-236

547+:¥0.636

545+:¥0.6415

544+:¥0.6525

543+:¥0.6913

946

-
6-8工作日
SBC856BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

90000+:¥0.1413

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SBC856BLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

6000+:¥0.2992

2000+:¥0.5386

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 65 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 650mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
等级 汽车级
资质 AEC-Q101
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3