SBC847BLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.08
2,755
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):15nA(ICBO)
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SBC847BLT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23 (TO-236)

1000+:¥0.3421

100+:¥0.3695

1+:¥0.395

2714

2435
现货最快4H发
SBC847BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.08

1+:¥0.101

16

23+
立即发货
SBC847BLT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.088

6000+:¥0.095

3000+:¥0.1

800+:¥0.14

200+:¥0.2

10+:¥0.3255

16

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SBC847BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.0832

1500+:¥0.10504

200+:¥0.16848

1+:¥0.50336

16

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1-3工作日
SBC847BLT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.088

1500+:¥0.1111

200+:¥0.1782

1+:¥0.5324

16

23+
2-4工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 15nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 2mA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3