2DB1713-13
DIODES(美台)
SOT-89
¥0.583
110
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A,电压 - 集射极击穿(最大值):12 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 30mA,1.5A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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DIODES(美台)
SOT89

2500+:¥0.583

1+:¥0.629

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美台(DIODES)
SOT-89

25000+:¥0.6413

5000+:¥0.6924

2500+:¥0.7288

800+:¥1.0203

200+:¥1.4576

10+:¥2.3724

26

-
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DIODES(美台)
SOT89-3

53+:¥1.1669

20+:¥1.4714

5+:¥1.4863

53

-
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Diodes(美台)
SOT-89-3L

2500+:¥0.60632

1250+:¥0.65416

100+:¥0.77168

1+:¥1.0036

26

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1-3工作日
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DIODES(美台)
SOT-89

150+:¥1.0843

50+:¥1.2283

5+:¥1.5645

5

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 12 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 30mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 270 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 900 mW
频率 - 跃迁 180MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA