2DB1188R-13
DIODES(美台)
SOT-89
¥0.27991
99,244
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):32 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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2DB1188R-13
Diodes(美台)
SOT-89(SOT-89-3)

5000+:¥0.27991

1000+:¥0.28511

500+:¥0.2903

100+:¥0.29524

10+:¥0.29888

60000

22+
现货
2DB1188R-13
DIODES(美台)
SOT89

2500+:¥0.312

1+:¥0.34

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22+
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2DB1188R-13
Diodes(美台)
SOT-89(SOT-89-3)

2500+:¥0.32448

1+:¥0.3536

9105

22+
1-2工作日发货
2DB1188R-13
Diodes(达尔)
SOT-89

2500+:¥0.3245

1250+:¥0.3536

130+:¥0.389

9113

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3天-15天
2DB1188R-13
美台(DIODES)
SOT-89-3

25000+:¥0.3432

5000+:¥0.3705

2500+:¥0.39

800+:¥0.546

200+:¥0.78

10+:¥1.2695

9113

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 32 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 800mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 180 @ 500mA,3V
功率 - 最大值 1 W
频率 - 跃迁 120MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA