2DB1188Q-13
DIODES(美台)
SOT-89
¥0.176862
13,854
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):32 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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2DB1188Q-13
DIODES(美台)
SOT-89

5000+:¥0.1769

2500+:¥0.1868

500+:¥0.2066

150+:¥0.2313

50+:¥0.3272

5+:¥0.4876

1050

-
立即发货
2DB1188Q-13
DIODES(美台)
SOT89

2500+:¥0.255

1+:¥0.29

4270

22+
立即发货
2DB1188Q-13
Diodes(美台)
SOT-89

2500+:¥0.2652

1+:¥0.3016

4264

22+
1-2工作日发货
2DB1188Q-13
Diodes(达尔)
SOT-89

2500+:¥0.2652

1250+:¥0.3016

150+:¥0.3474

4270

-
3天-15天
2DB1188Q-13
美台(DIODES)
SOT-89-3

25000+:¥0.2805

5000+:¥0.3029

2500+:¥0.3188

800+:¥0.4463

200+:¥0.6376

10+:¥1.0377

4270

-

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 32 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 800mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 500mA,3V
功率 - 最大值 1 W
频率 - 跃迁 120MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-243AA