PZTA42T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥0.52
33,929
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):300 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 2mA,20mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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PZTA42T1G
ON(安森美)
SOT-223-4

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PZTA42T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

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PZTA42T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223

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PZTA42T1G
ON(安森美)
SOT-223

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PZTA42T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 300 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 40 @ 30mA,10V
功率 - 最大值 1.5 W
频率 - 跃迁 50MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA