PZT751T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥0.86216
2,072
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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PZT751T1G
ON(安森美)
SOT-223-4

1000+:¥0.829

1+:¥0.899

664

24+
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PZT751T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥0.86216

1+:¥0.93496

659

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PZT751T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

10000+:¥0.9119

2000+:¥0.9845

1000+:¥1.0363

500+:¥1.4508

100+:¥2.0726

10+:¥3.3731

664

-
PZT751T1G
ON(安森美)
SOT-223

60+:¥0.9889

664

-
3天-15天
PZT751T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223

1+:¥1.8758

84

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PZT751T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥0.86216

50+:¥0.93496

1+:¥1.2272

708

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1-3工作日
PZT751T1G
ON(安森美)
SOT-223

2000+:¥1.43

1000+:¥1.469

500+:¥1.534

100+:¥1.664

30+:¥1.729

1+:¥1.794

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PZT751T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

30+:¥2.21

10+:¥2.44

1+:¥3.0

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 75 @ 1A,2V
功率 - 最大值 800 mW
频率 - 跃迁 75MHz
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA