PUMH18,115
Nexperia(安世)
SOT-363
¥0.128155
64,657
数字晶体管
晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):4.7 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
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Nexperia(安世)
SOT-363

9000+:¥0.1282

6000+:¥0.1358

3000+:¥0.1512

300+:¥0.1794

100+:¥0.2064

10+:¥0.2604

2910

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3000+:¥0.145

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3000+:¥0.1508

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3000+:¥0.18014

27000

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安世(Nexperia)
SOT-363

30000+:¥0.1903

6000+:¥0.2055

3000+:¥0.2163

800+:¥0.3028

100+:¥0.4326

20+:¥0.6705

2877

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数字晶体管 PUMH18,115 SOT-363(PUMH18,115)
Nexperia(安世)
SOT-363

3000+:¥0.212

1000+:¥0.276

20+:¥0.318

5+:¥0.53

25500

20+/21+
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1500+:¥0.246

200+:¥0.2835

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NEXPERIA
6-TSSOP

1+:¥0.393

37

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3000+:¥0.1508

1500+:¥0.17056

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1+:¥0.30368

2313

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1-3工作日
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TSSOP-6

3000+:¥0.1595

1500+:¥0.1804

200+:¥0.2079

1+:¥0.3212

2313

24+
2-4工作日
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nexperia
TSSOP-6

24000+:¥0.1949

12000+:¥0.1982

6000+:¥0.2016

3000+:¥0.205

18000

24+
3-5工作日
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1025+:¥0.4715

615+:¥0.5192

205+:¥0.576

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14-18工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 10 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 50 @ 10mA,5V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 100mV @ 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 1µA
功率 - 最大值 300mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363