NSVMMBT6429LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1661
7,095
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 mA,电压 - 集射极击穿(最大值):45 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):600mV @ 5mA,100mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA
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价格(含税)
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渠道
NSVMMBT6429LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

9000+:¥0.1661

6000+:¥0.1775

3000+:¥0.2002

300+:¥0.2382

100+:¥0.2762

10+:¥0.3521

4220

-
立即发货
NSVMMBT6429LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.177

1+:¥0.2

719

23+
立即发货
NSVMMBT6429LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.18408

1+:¥0.208

718

23+
1-2工作日发货
NSVMMBT6429LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1947

6000+:¥0.2102

3000+:¥0.2213

800+:¥0.3098

200+:¥0.4426

10+:¥0.7203

719

-
NSVMMBT6429LT1G
ON(安森美)
SOT-23

200+:¥0.3003

110+:¥0.4641

719

-
3天-15天
NSVMMBT6429LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

18000+:¥0.1568

9000+:¥0.1596

6000+:¥0.1624

3000+:¥0.175

6000

15+
3-5工作日
NSVMMBT6429LT1G
ON(安森美)
--

3000+:¥0.18408

1500+:¥0.208

200+:¥0.24024

1+:¥0.37128

724

--
1-3工作日
NSVMMBT6429LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

1+:¥0.1883

438

22+
1-3工作日
NSVMMBT6429LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1947

1500+:¥0.22

200+:¥0.2541

1+:¥0.3927

724

23+
2-4工作日
NSVMMBT6429LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

150000+:¥0.452

75000+:¥0.456

15000+:¥0.46

3000+:¥0.468

333000

-
5-8工作日
NSVMMBT6429LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

525+:¥0.4945

315+:¥0.5428

105+:¥0.588

6945

-
14-18工作日
NSVMMBT6429LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3,TO-236

15000+:¥0.5957

9000+:¥0.6009

6000+:¥0.6112

3000+:¥0.6475

60000

-
6-8工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 200 mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 45 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 600mV @ 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 500 @ 100µA,5V
功率 - 最大值 300 mW
频率 - 跃迁 700MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3