咨询/建议
NSVDTA114EET1G
onsemi(安森美)
SC-75
数字晶体管
晶体管类型：PNP - 预偏压，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：50 V，电阻器 - 基极 (R1)：10 kOhms，电阻器 - 发射极 (R2)：10 kOhms
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
NSVDTA114EET1G
|
ON SEMICONDUCTOR
|
SC-75-3
|
1000+:￥0.346 100+:￥0.3724 1+:￥0.3999 |
3019 |
2118
|
现货最快4H发
|
京北通宇
|
|
NSVDTA114EET1G
|
onsemi(安森美)
|
SC-75
|
500+:￥0.4444 150+:￥0.4937 50+:￥0.5595 5+:￥0.691 |
885 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 300µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 功率 - 最大值 | 200 mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |