咨询/建议
NSVBC858CLT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100 mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：30 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NSVBC858CLT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.139 1+:￥0.157 |
3000 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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NSVBC858CLT1G
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ON(安森美)
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SOT-23
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3000+:￥0.14456 1+:￥0.16328 |
2994 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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NSVBC858CLT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23
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6000+:￥0.1664 3000+:￥0.1758 500+:￥0.1944 150+:￥0.2177 50+:￥0.2883 5+:￥0.4096 |
2875 |
-
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立即发货
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立创商城
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NSVBC858CLT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3，TO-236
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60000+:￥0.154 45000+:￥0.1551 3000+:￥0.1562 1500+:￥0.176 200+:￥0.2035 1+:￥0.3157 |
3000 |
25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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NSVBC858CLT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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500+:￥0.3417 150+:￥0.41 50+:￥0.5126 5+:￥0.6151 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 30 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 420 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 300 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |