NSV1C201MZ4T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥1.4281
21,934
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):100 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):180mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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NSV1C201MZ4T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223

1+:¥1.5858

21829

2303
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NSV1C201MZ4T1G
ON(安森美)
SOT-223

50+:¥1.4281

20+:¥1.7657

5+:¥1.7835

50

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NSV1C201MZ4T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

10000+:¥1.5168

2000+:¥1.6375

1000+:¥1.7237

500+:¥2.4131

100+:¥3.4475

10+:¥3.6159

50

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NSV1C201MZ4T1G
ON Semiconductor
SOT-223

5000+:¥0.757

2000+:¥0.809

1000+:¥0.88

150+:¥1.2

50+:¥1.4

5+:¥1.7

1689

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1工作日
NSV1C201MZ4T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223

20000+:¥0.8946

10000+:¥0.91

5000+:¥0.9409

10+:¥0.964

325

22+
3-6工作日
NSV1C201MZ4T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223

2000+:¥0.9272

1000+:¥0.9513

2000

24+
3-5工作日
NSV1C201MZ4T1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-223

150+:¥1.2907

50+:¥1.457

5+:¥1.8335

989

23+
1工作日
NSV1C201MZ4T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223

100+:¥1.2954

10+:¥1.5619

2526

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5-10工作日
NSV1C201MZ4T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223

1000+:¥1.416

100+:¥1.4687

1+:¥1.56

133

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NSV1C201MZ4T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223

8000+:¥1.792

4000+:¥1.888

2000+:¥1.952

1000+:¥2.0

30000

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3-5工作日
NSV1C201MZ4T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

164+:¥2.1563

162+:¥2.175

161+:¥2.2125

160+:¥2.3438

20737

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6-8工作日
NSV1C201MZ4T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

5000+:¥0.7686

2000+:¥0.8208

1000+:¥0.9078

150+:¥1.2949

50+:¥1.4515

5+:¥1.8169

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NSV1C201MZ4T1G
ON(安森美)
SOT-223-4

1000+:¥1.18

1+:¥1.28

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 100 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 180mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 120 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 800 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA