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NSV1C201MZ4T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：180mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NSV1C201MZ4T1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-223
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1+:￥1.5858 |
21829 |
2303
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现货最快4H发
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京北通宇
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NSV1C201MZ4T1G
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ON(安森美)
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SOT-223
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50+:￥1.4281 20+:￥1.7657 5+:￥1.7835 |
50 |
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立即发货
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华秋商城
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NSV1C201MZ4T1G
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安森美(onsemi)
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SOT-223
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10000+:￥1.5168 2000+:￥1.6375 1000+:￥1.7237 500+:￥2.4131 100+:￥3.4475 10+:￥3.6159 |
50 |
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油柑网
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NSV1C201MZ4T1G
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ON Semiconductor
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SOT-223
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5000+:￥0.757 2000+:￥0.809 1000+:￥0.88 150+:￥1.2 50+:￥1.4 5+:￥1.7 |
1689 |
2426+
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1工作日
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云汉芯城
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NSV1C201MZ4T1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-223
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20000+:￥0.8946 10000+:￥0.91 5000+:￥0.9409 10+:￥0.964 |
325 |
22+
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3-6工作日
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云汉芯城
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NSV1C201MZ4T1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-223
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2000+:￥0.9272 1000+:￥0.9513 |
2000 |
24+
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3-5工作日
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云汉芯城
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NSV1C201MZ4T1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-223
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150+:￥1.2907 50+:￥1.457 5+:￥1.8335 |
989 |
23+
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1工作日
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云汉芯城
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NSV1C201MZ4T1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-223
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100+:￥1.2954 10+:￥1.5619 |
2526 |
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5-10工作日
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云汉芯城
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NSV1C201MZ4T1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-223
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1000+:￥1.416 100+:￥1.4687 1+:￥1.56 |
133 |
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云汉芯城
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NSV1C201MZ4T1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-223
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8000+:￥1.792 4000+:￥1.888 2000+:￥1.952 1000+:￥2.0 |
30000 |
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3-5工作日
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云汉芯城
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NSV1C201MZ4T1G
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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164+:￥2.1563 162+:￥2.175 161+:￥2.2125 160+:￥2.3438 |
20737 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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NSV1C201MZ4T1G
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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5000+:￥0.7686 2000+:￥0.8208 1000+:￥0.9078 150+:￥1.2949 50+:￥1.4515 5+:￥1.8169 |
5 |
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立即发货
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立创商城
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NSV1C201MZ4T1G
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ON(安森美)
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SOT-223-4
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1000+:￥1.18 1+:￥1.28 |
0 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 180mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 800 mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |