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NSV1C200LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
三极管(BJT)
晶体管类型：PNP，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：2 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：100 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：250mV @ 200mA，2A，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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NSV1C200LT1G
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onsemi(安森美)
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SOT-23-3，TO-236
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15000+:￥1.3225 9000+:￥1.334 6000+:￥1.357 3000+:￥1.4375 |
51000 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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NSV1C200LT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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9000+:￥1.76 6000+:￥1.76 3000+:￥1.76 |
60000 |
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4-6工作日
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云汉芯城
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NSV1C200LT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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50000+:￥1.8138 10000+:￥1.8637 1000+:￥1.9136 10+:￥2.0467 |
924 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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NSV1C200LT1G
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On Semiconductor/Fairchild
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SOT-23-3，TO-236
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10000+:￥1.8138 3000+:￥1.8637 200+:￥1.9136 10+:￥2.0467 |
455 |
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5-7工作日
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云汉芯城
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NSV1C200LT1G
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安森美(onsemi)
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SOT-23
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30+:￥2.4219 10+:￥2.9063 1+:￥4.3594 |
0 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 490 mW |
| 频率 - 跃迁 | 120MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |