咨询/建议
NST857BDP6T5G
onsemi(安森美)
SOT-963-6
三极管(BJT)
晶体管类型：2 PNP（双），电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA，电压 - 集射极击穿（最大值）：45V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：700mV @ 5mA，100mA，电流 - 集电极截止（最大值）：15nA（ICBO）
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
NST857BDP6T5G
|
onsemi(安森美)
|
SOT-963-6
|
32000+:￥0.2826 |
0 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
|
NST857BDP6T5G
|
安森美(onsemi)
|
SOT-963-6
|
30+:￥1.0507 10+:￥1.2608 1+:￥1.8913 |
0 |
-
|
油柑网
|
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 700mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 15nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 220 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |