NSS60201LT1G
onsemi(安森美)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥1.176
1,991
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):60 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):140mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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NSS60201LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥1.176

1933

2217
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NSS60201LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

150+:¥1.3578

50+:¥1.3729

5+:¥1.3956

55

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NSS60201LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

9000+:¥1.344

6000+:¥1.38

3000+:¥1.44

3000

-
3-5工作日
NSS60201LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23-3,TO-236

223+:¥1.5824

221+:¥1.5962

220+:¥1.6237

219+:¥1.72

1836

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6-8工作日
NSS60201LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

500+:¥1.5985

100+:¥1.7582

35+:¥1.932

875

-
14-18工作日

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 60 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 140mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 150 @ 1A,2V
功率 - 最大值 460 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3