NSS40200LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.515
12,025
三极管(BJT)
晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2 A,电压 - 集射极击穿(最大值):40 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):170mV @ 200mA,2A,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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NSS40200LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

3000+:¥0.515

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5841

24+
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NSS40200LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3

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1+:¥0.57616

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NSS40200LT1G
ON(安森美)
SOT-23

1500+:¥0.6094

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60+:¥0.9097

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NSS40200LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

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NSS40200LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23

1+:¥1.0008

217

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规格参数
属性 属性值
晶体管类型 PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 40 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 170mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 220 @ 500mA,2V
功率 - 最大值 460 mW
频率 - 跃迁 100MHz
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3