NCV1413BDR2G
onsemi(安森美)
SOIC-16
¥1.34
43,750
达林顿晶体管阵列
晶体管类型:7 NPN 达林顿,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):1.6V @ 500µA,350mA,不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 350mA,2V
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NCV1413BDR2G
ON(安森美)
SOIC-16

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NCV1413BDR2G
ON(安森美)
SOIC-16

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14332

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onsemi(安森美)
SOIC-16

1000+:¥1.44

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100+:¥1.8

30+:¥2.17

10+:¥2.46

1+:¥3.14

726

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NCV1413BDR2G
ON(安森美)
16-SOIC

2500+:¥1.474

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100+:¥1.782

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14333

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NCV1413BDR2G
ON SEMICONDUCTOR
16-SOIC

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