MUN5313DW1T1G
onsemi(安森美)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
¥0.21
9,144
数字晶体管
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双),电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA,电压 - 集射极击穿(最大值):50V,电阻器 - 基极 (R1):47 千欧,电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧
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MUN5313DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.21

1+:¥0.237

1121

2年内
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MUN5313DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.2184

1+:¥0.24648

1116

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MUN5313DW1T1G
ON SEMICONDUCTOR
SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

1000+:¥0.2235

100+:¥0.245

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3780

2206
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MUN5313DW1T1G
安森美(onsemi)
SOT-363

30000+:¥0.231

6000+:¥0.2494

3000+:¥0.2625

800+:¥0.3675

200+:¥0.525

10+:¥0.8138

1121

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ON(安森美)
SOT-363

1000+:¥0.2442

500+:¥0.2548

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30+:¥0.2973

1+:¥0.3079

885

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ON(安森美)
6-TSSOP,SC-88,SOT-363

200+:¥0.3549

100+:¥0.5499

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3天-15天
MUN5313DW1T1G
ON(安森美)
SC-88/SC70-6/SOT-363

3000+:¥0.2184

1500+:¥0.24648

200+:¥0.28392

1+:¥0.43992

1121

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MUN5313DW1T1G
onsemi(安森美)
SOT-363

3000+:¥0.188

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电阻器 - 基极 (R1) 47 千欧
电阻器 - 发射极 (R2) 47 千欧
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
功率 - 最大值 250mW
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363